經(jīng)濟觀察報 記者 鄭晨燁 向來被視為半導體產(chǎn)業(yè)“風向標”的存儲芯片市場,今年上半年強勁復蘇。
專業(yè)存儲市場調(diào)研機構(gòu)CFM閃存市場近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,2024年二季度全球NANDFlash(非易失性存儲器)市場規(guī)模環(huán)比增長18.6%至180.0億美元,DRAM(易失性存儲器)市場規(guī)模環(huán)比增長24.9%至234.2億美元。全球存儲市場規(guī)模二季度環(huán)比增長22.1%至414.2億美元,同比大增108.7%。2024年上半年,全球存儲市場規(guī)模達753.3億美元,同比增長97.7%。
驅(qū)動存儲市場復蘇的原因,既包括此前兩年市場過度下跌后的修復與回歸,也有存儲原廠主動減產(chǎn)及削減資本開支以推動市場供需恢復平衡的努力。更關(guān)鍵的是,AI(人工智能)算力基建需求飆升給存儲行業(yè)帶來新的增長動能。
北京新鼎榮盛資本管理有限公司董事長張馳對經(jīng)濟觀察報表示:“存算一體是AI時代的計算最優(yōu)解,算力建設(shè)需求的不斷增加,一定會帶動存儲市場需求的增長,AI服務(wù)器需求是目前存儲市場的主要驅(qū)動力。”
但最近一段時間,強勁復蘇的存儲市場也開始出現(xiàn)變數(shù):半導體行業(yè)知名研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢近日發(fā)布研報稱,2024年第二季度存儲模組廠在消費類NANDFlash零售渠道的出貨量已大幅年減40%,反映出全球消費性存儲器市場正面臨嚴峻挑戰(zhàn),下半年的需求不會大幅回溫。
消費型存儲器市場之所以面臨嚴峻挑戰(zhàn),是因為占存儲芯片需求大頭的PC(個人計算機)和手機的增速遠沒有達到市場預期。CFM閃存市場分析師楊伊婷說:“三季度存儲行情已然站上十字路口,服務(wù)器存儲行情整體穩(wěn)定,消費類存儲行情明顯承壓。”
華南一家存儲廠商的市場經(jīng)理稱:“現(xiàn)在,對后市只有謹慎,不樂觀也不悲觀,AI暫時不一定做得了存儲的救世主。”
AI強勢驅(qū)動
今年以來存儲芯片市場的強勁復蘇,首先的原因是“起點低”。
自2022年下半年以來,消費電子需求持續(xù)疲軟,讓存儲市場陷入供需失衡的“泥潭”。NANDFlash和DRAM的價格自2022年第三季度起連續(xù)四個季度下跌,讓眾多存儲企業(yè)在2022年至2023年間出現(xiàn)了巨額的財務(wù)虧損。“終端需求不振”是這些企業(yè)在財報電話會上共同提及的虧損原因。
在楊伊婷看來,存儲行業(yè)天然存在強周期的屬性,在2022年下半年開啟的存儲調(diào)整周期中,消費電子需求疲軟,供過于求的市況令存儲價格跌跌不休,存儲原廠面臨著持續(xù)虧損和產(chǎn)能空轉(zhuǎn)的雙重壓力。
楊伊婷說:“存儲原廠試圖通過減產(chǎn)來重新平衡供需關(guān)系,但減產(chǎn)有時效,無法快速緩解供需不平衡的狀況。于是,存儲原廠紛紛轉(zhuǎn)變態(tài)度、不愿再低價出貨,并收緊供應(yīng),強勢拉漲價格,市場格局從爭奪市占率轉(zhuǎn)為恢復盈利為第一要義。”
于是通過削減資本開支、持續(xù)減產(chǎn)、提價清庫存等一系列“自救”措施后,存儲芯片的行情自2023年第三季度起開始回升。
“今年上半年存儲芯片價格累計漲幅超四成,這顯示出供應(yīng)商在強力推升價格上漲,意在扭轉(zhuǎn)虧損局面。”TrendForce集邦咨詢資深分析師敖國鋒說。
楊伊婷亦稱:“2024上半年,手機、PC及服務(wù)器等終端的備貨積極性較高,上游存儲原廠優(yōu)化庫存改善盈利,市場供需整體處于緊平衡的狀態(tài),因此上半年存儲市場出現(xiàn)了全面的量價齊升。”
她說,目前AI帶動的新增存儲需求主要來自AI服務(wù)器領(lǐng)域,AI服務(wù)器需要搭載高性能高容量的HBM、DDR5及eSSD(企業(yè)級固態(tài)硬盤)。AI服務(wù)器搭載的DDR5容量,達到傳統(tǒng)服務(wù)器DRAM容量的三倍以上,而AI服務(wù)器搭載的HBM容量越來越高,如B200(英偉達公司推出的AI訓練芯片)搭載8顆24GBHBM3E,總?cè)萘窟_到192GB,容量較前一代的H200搭載的141GB容量提升36%。除此以外,AI服務(wù)器還積極采用QLCeSSD加速取代HDD(機械硬盤),以優(yōu)化AI服務(wù)器的總成本和運營效率。
“隨著AI擴大采用SSD應(yīng)用,導致企業(yè)級SSD訂單供不應(yīng)求,價格在今年前三季度平均漲幅超過20%。”敖國鋒說。
這種由AI帶來的“供不應(yīng)求”眼下已實實在在地體現(xiàn)在存儲廠商的財報當中。比如,三星電子在今年第二季度NANDFlash與DRAM的銷售收入分別達61.41億美元、96.86億美元,分別環(huán)比增長13.8%、24.7%。該公司管理層在財報電話會中表示:“超大規(guī)模客戶對人工智能投資的擴大不僅帶動了對HBM的強勁需求,同時也促進了對傳統(tǒng)DRAM和固態(tài)硬盤(SSD)的需求。HBM、DDR5及其他面向人工智能的高附加值產(chǎn)品銷售增長,加上整體價格的改善,推動了第二季度盈利較上季度有顯著增長。”
張馳告訴經(jīng)濟觀察報:“未來,AI服務(wù)器市場的規(guī)模會是手機和電腦的十倍左右,數(shù)據(jù)中心的建設(shè)對存儲的需求遠遠超過消費級市場。一臺服務(wù)器需要配備上百根內(nèi)存條,這種需求要比手機和電腦多得多。”
在楊伊婷看來,AI對存儲需求增長的長期帶動趨勢是確定的,AI大模型與云服務(wù)存在深度融合的趨勢,大型云服務(wù)商正在積極投入資本支出構(gòu)建更高的云服務(wù)壁壘,同時邊端設(shè)備也在增加AI大模型的訓練部署。
敖國鋒強調(diào),在AI應(yīng)用的推動下,服務(wù)器市場將成為閃存應(yīng)用擴大的主要領(lǐng)域,這一趨勢預計到明年仍會延續(xù)。
結(jié)構(gòu)性矛盾
在存儲廠商的主動減產(chǎn)平衡供需以及AI帶來了新的增長空間之后,存儲芯片行業(yè)有機會穩(wěn)定地走向新一輪的增長周期。但今年下半年以來,存儲現(xiàn)貨市場的價格持續(xù)下調(diào),給全行業(yè)好不容易盼來的復蘇,蒙上了一層“陰影”。
根據(jù)CFM閃存市場統(tǒng)計數(shù)據(jù),NANDFlash和DRAM現(xiàn)貨價格指數(shù)自今年5月份觸及階段高點后便開始一路下跌,目前已經(jīng)回到了2023年末的水平。TrendForce集邦咨詢亦在近日發(fā)表的研報中表示,以消費產(chǎn)品為主的存儲器現(xiàn)貨價格開始走弱,第二季價格較第一季下跌超過30%。
前述存儲廠商的市場經(jīng)理告訴經(jīng)濟觀察報:“AI服務(wù)器需要的產(chǎn)品壁壘比較高,‘蛋糕’主要被海外頭部廠商吃掉了,當前在PC、手機等主要市場上,AI還沒有帶來顯著的需求增長,所以我們也不敢說今年情況就一定會有多好,只能走一步看一步。”
經(jīng)濟觀察報在采訪國內(nèi)存儲廠商的過程中了解到,相較于追尋AI算力基建這一藍海市場,從業(yè)者在年初其實更寄希望于AIPC、AI手機的爆火,但AIPC、AI手機的雷聲過后,“雨”卻一直沒下來,消費電子市場復蘇遠不及預期。
在楊伊婷看來,目前國內(nèi)消費類市場仍未復蘇,部分智能手機品牌開始下調(diào)2024年銷量增長預期。同時,隨著零部件價格上漲,手機廠商硬件成本壓力巨大,部分手機廠商已開始在攝像頭、屏幕、存儲等配置上降配。在容量配置上,降配已經(jīng)成為各大手機品牌廠商不得已而為之的選擇。
“DRAM首當其沖,高端機型從16GB降至12GB,低端機型撤回到4GB,且中低端機型銷量占比加大,高端手機銷量降低,整體收縮對DRAM的需求。NAND方面同樣如此,通過調(diào)整營銷策略,減少高容量配置需求。”楊伊婷進一步表示。
關(guān)于PC市場,楊伊婷則分析稱,由于國內(nèi)PC市場復蘇緩慢,消費類市場普遍對存儲價格過快上漲的接受度不足,而下游存儲廠商擁有大量低價庫存,因此消費類存儲成品價格難以及時反映原廠資源價格的變化,部分存儲產(chǎn)品價格還出現(xiàn)了倒掛。
敖國鋒說:“AI對PC及智能手機閃存搭載容量的提升效應(yīng)可能要到2026年才會顯現(xiàn)。”
但對于許多存儲廠商而言,眼下它們可能需要“扛著風險”等待“AI對消費市場產(chǎn)生實際拉動”的那一天。
財報數(shù)據(jù)顯示,截至2024年6月30日,國內(nèi)存儲企業(yè)江波龍(301308.SZ)的存貨賬面價值達88.33億元,占流動資產(chǎn)的比例為69.11%;佰維存儲(688525.SH)的存貨賬面價值達35.77億元,占其資產(chǎn)總額的比例為51.87%;德明利(001309.SZ)的存貨賬面價值達33.8億元,占其公司凈資產(chǎn)的比例達222.58%。
如果接下來存儲市場行情不能持續(xù)好轉(zhuǎn),這些存貨高企的存儲廠商或?qū)⒚媾R存貨跌價風險的“懸頂”之危。
此外,頭部存儲原廠的新一輪產(chǎn)能“競賽”也已經(jīng)展開。比如,美光科技管理層在2024年3—5月的財報電話會上表示:“我們預計明年的資本支出將大幅增加,2025財年的資本支出約占收入的30%,將用于HBM組裝和測試設(shè)備、晶圓廠和后端設(shè)施的建設(shè)以及技術(shù)轉(zhuǎn)型投資,以應(yīng)對市場需求增長。公司計劃在2025財年在愛達荷州和紐約的新建晶圓廠的建設(shè)資本支出將占預期總資本支出增長的一半或更多。”
對此,楊伊婷表示,在中短期內(nèi),存儲市場面臨的挑戰(zhàn)來自供應(yīng)端產(chǎn)能釋放壓力,隨著存儲原廠實現(xiàn)盈利并開始產(chǎn)能擴張,行業(yè)整體產(chǎn)能增長已達到不容忽視的關(guān)鍵節(jié)點,供應(yīng)端與供應(yīng)端之間、供應(yīng)端與需求端之間的博弈正在加劇。
她說:“下半年供需局部的結(jié)構(gòu)性問題更加明顯,表現(xiàn)在服務(wù)器存儲供應(yīng)更為穩(wěn)定,而部分消費類存儲供應(yīng)增長過快,這將令供應(yīng)端不得不在利潤和份額之間作出艱難抉擇。”