本報記者 丁蓉

2024年第二季度，存儲行業(yè)有望延續(xù)上行趨勢。據(jù)TrendForce集邦咨詢預計，第二季度NANDFlash（閃存存儲器）合約價將強勢上漲約13%至18%，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）價格漲幅約3%至8%。

產(chǎn)業(yè)鏈部分企業(yè)率先感受到市場暖意。近日，上市公司佰維存儲表示，當前行業(yè)迎來景氣復蘇，手機端客戶需求有明顯復蘇的跡象。兆易創(chuàng)新在投資者互動平臺上表示，2024年主流存儲價格將延續(xù)上漲走勢，公司DRAM和NAND價格將持續(xù)回升。

華安電子首席分析師陳耀波在接受《證券日報》記者采訪時表示：“新一輪存儲周期中，人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展是市場需求的重要創(chuàng)造方，持續(xù)貢獻需求增量。上市公司需要積極提高產(chǎn)品競爭力，通過把握新增的市場需求，緊抓發(fā)展機遇。”

高性能存儲需求旺盛

4月7日，《證券日報》記者在深圳市華強北走訪調(diào)研了解到，存儲市場正持續(xù)回暖。深圳市者成科技有限公司總經(jīng)理盧忠東向《證券日報》記者表示：“自2023年第三季度末以來，部分存儲產(chǎn)品價格上漲。目前，漲幅較大的是高性能存儲芯片，市場上DDR5等產(chǎn)品需求旺盛，供不應求。但并非所有型號都在漲，一些中低性能產(chǎn)品漲幅不明顯，部分型號價格仍在低位徘徊甚至下滑。”

本輪存儲芯片價格上漲與人工智能產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展有密切關系。中國電子商務專家服務中心副主任郭濤在接受《證券日報》記者采訪時表示：“人工智能技術的進步，推動高速、大容量存儲解決方案的需求，因此本輪存儲周期一大特點就是高性能存儲芯片需求旺盛。”

在新周期之中，高端存儲HBM和DDR5產(chǎn)品正加速向市場滲透，三星電子、SK海力士、美光公司紛紛將投資和產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM和DDR5。HBM方面，TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預計，到2024年底HBM核心技術TSV的產(chǎn)能將同比增長約260%，占DRAM總產(chǎn)能約14%。DDR5方面，DDR5子代迭代正在加速。

在業(yè)內(nèi)人士看來，前四輪存儲周期一般為3年至4年。中國銀河證券研報表示，人工智能需求正在創(chuàng)造存儲芯片行業(yè)第五輪周期起點，人工智能服務器、人工智能個人電腦、人工智能移動終端設備市場需求都在持續(xù)放量，存儲市場迎來新發(fā)展機遇。

上市公司積極行動

隨著市場景氣度上行，近日，A股存儲賽道多家上市公司，包括兆易創(chuàng)新、東芯股份、瀾起科技、聚辰股份、江波龍、佰維存儲、大為股份等，在投資者互動平臺上或接受機構調(diào)研時，均被問及產(chǎn)品供求情況和高性能產(chǎn)品相關布局情況。

東芯股份表示，從存儲產(chǎn)品的周期來看，公司產(chǎn)品預計隨著需求的逐步回暖，價格將逐步改善。公司以成為國內(nèi)領先的存儲芯片設計企業(yè)為目標，致力于給更多客戶提供包括NAND Flash、NOR Flash、DRAM、MCP等多產(chǎn)品線全覆蓋的存儲芯片產(chǎn)品。

瀾起科技在內(nèi)存接口芯片領域牽頭制定DDR5 RCD芯片國際標準，在DDR5子代迭代的過程中，研發(fā)進度保持領先，公司的DDR5第二子代RCD芯片已于去年下半年開始規(guī)模出貨。

中國金融智庫特邀研究員余豐慧向《證券日報》記者表示：“隨著人工智能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，數(shù)據(jù)安全重要性凸顯，國內(nèi)存儲廠商在本輪存儲周期中的發(fā)展?jié)摿薮蟆！?/p>

智帆海岸機構首席顧問梁振鵬在接受《證券日報》記者采訪時表示：“對于存儲企業(yè)來說，應密切關注市場趨勢和客戶需求，積極開拓高端市場，把握高端市場需求增量，通過提高技術水平、優(yōu)化產(chǎn)品設計和提高產(chǎn)品質(zhì)量，來擺脫同質(zhì)化競爭，在本輪周期中獲取更大市場份額。”